Snelle transistoren uit de printer
Onderzoekers van het Institut für Nanotechnologie (INT) van het Karlsruher Institut für Technologie (KIT) hebben een belangrijke stap voorwaarts gezet in gedrukte elektronica. Ze hebben aan-getoond, dat supersnelle veldeffect-transistors (FET) kunnen worden geproduceerd van gedrukte anorganische oxide nano partikels. Deze worden gecombineerd met een afdrukbare composiet van vaste polymeer elektrolyten als isolator bij de stuurelektrode.
Geen opmerkingen: